На Intel Developer Forum 2015 представители компании Samsung рассказали о планах выпустить линейку оперативной памяти нового поколения DDR5. Новый тип ОЗУ, будет вдвое эффективнее DDR4, который появился в продаже совсем недавно, только в 3 квартале прошлого года.
Заявленная пропускная способность DDR5 достигает 50 Гб в секунду, а это, почти вдвое больше 34 Гб в секунду у DDR4 с тактовой частотой 4 ГГц. Модули памяти планируется поставлять объемом от 8 до 32 Гб, как и в современном поколении. При этом компания собирается уменьшить толщину планки памяти и провести ряд экспериментов с 2,5D и 3D архитектурой.
Счастливым обладателям DDR 4 пока беспокоиться не о чем — первые прототипы DDR5, по словам представителей компании появятся не раньше 2018 года. А массовое производство предварительно запланировали на 2020 год. Как бы то ни было, новое поколение памяти сулит существенное увеличение производительности работы PC.